21 世纪经济报道记者 彭新中博证券
存储芯片业，风云多变。
10 月 9 日，有投资者收到东方财富证券通知称，当日起，账户持有的佰维存储（688525.SH）的两融折算率由 0.50 调整为 0.00，原因是该公司的静态市盈率超过 300 倍。
所谓两融折算率，是指股票可用作融资融券保证金的比例，当折算率降为 0 时，意味着投资者无法再以该股票作为抵押融资。诸多机构同期亦公告表示，依据交易所规则，将市盈率超 300 倍或为负的 A 股股票折算率统一调整为 0，其中也包括佰维存储。
这一事件引发投资者关注后，10 月 10 日，佰维存储股价开盘跳水，至当日 A 股收盘，股价报 96.50 元，跌 9.59%。近三个月以来，佰维存储股价涨幅达 61.96%，并创下历史新高。同期，A 股存储芯片概念股反复活跃，香农芯创 ( 300475.SZ ) 、江波龙 ( 301308.SZ ) 、兆易创新 ( 603986.SH ) 股价创新高，通富微电 ( 002156.SZ ) 、深科技 ( 000021.SZ ) 、德明利 ( 001309.SZ ) 等涨势明显。
另一方面，过去半年，全球存储芯片价格也是"涨声一片"。
CFM 闪存市场发布的《2025 年四季度存储市场展望》显示，预计四季度，企业级 SSD（eSSD）价格涨幅将达到 10% 以上，DDR5 RDIMM 价格涨幅约 10%~15%。另据 TrendForce 集邦咨询 9 月 29 日发布的数据中博证券，DRAM（DDR4 8Gb）的平均现货价格上月达到 5.868 美元，创年内高位；较一季度 1 美元低位上涨约 4.9 倍，至约 5.87 美元。集邦咨询进一步指出，主流 DRAM（DDR5 16Gb）的平均现货价格达 6.927 美元，较年初的 4.70 美元上涨 40% 以上，正逼近 2018 年半导体景气高峰期的 7.19~8.19 美元区间。在供应趋紧背景下，多类 DRAM 产品预计四季度仍将继续涨价。
超级周期引爆
近一个月，存储涨价消息更为密集，现货价格快速上行。资本市场亦直接反馈，多家厂商股价持续刷新阶段高位。美光与西部数据等存储股显著走强。
Yole Group 最新《2025 年存储行业现状报告》显示，全球存储收入 2024 年达 1700 亿美元，2025 年有望再增 18% 至 2000 亿美元。AI 手机、AIPC、AI 服务器成为拉动需求的三大主要动力，其中 AI 服务器最受瞩目：大模型训练 / 推理对内存带宽需求暴涨，eSSD、服务器 DRAM 与 HBM（高带宽内存）构成"标配"。尤其是 HBM，以 3D 堆叠带来远超传统内存的带宽，成为本轮周期的"锚"。
HBM 供不应求的市况从头部厂商的对外披露可见端倪。美光首席商务官 Sumit Sadana 在股东会上表示，该公司 2025 年 HBM 产能已售罄，并正与客户就 2026 年供应展开谈判。
10 月 1 日，OpenAI 宣布，韩国两大存储厂商三星电子、SK 海力士将共同参与 OpenAI 的"星际之门"计划。其中三星电子和 SK 海力士计划扩大先进存储芯片产能，目标实现每月 90 万片 DRAM（动态随机存取存储器）晶圆产能，为 OpenAI 的 AI 模型提供数据存储支持。
对于该合作，三星电子称，公司计划支持正在进行星际之门项目的 OpenAI中博证券，以便其能够顺利获得高性能、低功耗的内存。SK 海力士则称，将作为 HBM 供应合作伙伴参与了星际之门项目。
随着该合作的宣布，以及近期持续的 AI 相关利好，10 月 10 日三星电子和 SK 海力士股价双双创下历史新高，SK 海力士股价当日一度大涨超过 11%，三星电子涨幅也超过 6%。
值得注意的是，除 HBM 外，由"三大存储厂"主导的 DRAM 与 NAND 业务亦迎来强劲周期，供应趋紧抬升价格预期，传统存储同样出现是否迎来超级周期的讨论。
不一样的周期
过去二十年，存储景气与消费电子出货量高度绑定，呈现典型" 3~5 年"的"库存—扩产—过剩—下行"强周期属性。AI 的崛起改变了游戏规则：大模型训练 / 推理对带宽的需求成为瓶颈，带宽而非容量正决定系统性能。英伟达多次强调，难点在于如何足够快地"喂数据"；这直接推高了对 HBM 的持续需求。
驱动力也从分散的消费端转向集中度更高、确定性更强的企业级资本开支。微软、谷歌、Meta 及新晋 AI 公司掀起的"算力军备竞赛"提供了更强的订单刚性。因此，市场普遍认为，本轮并非简单的库存修复，而是由技术范式转移驱动的多年度结构性增长。
同时，产能正向计算卡 / 服务器等高附加值方向倾斜，DDR4 等传统品类的供给被边缘化，而 PC、部分工业设备仍有稳定需求，短期供需出现结构性失衡，推动价格上行。摩根士丹利在 2025 年 10 月 6 日发布的研报称，传统存储的繁荣期强于预期且可能更持久，涨价信号明确，紧张态势预计将持续至 2026 年，其影响正传导至 DDR4、DDR3、NOR Flash 等旧款产品。
风口上的挑战机遇
全球"超级周期"同样驱动中国市场，机遇与挑战并存。
机遇在于，全球性的供应紧张和价格上涨，为国产存储芯片创造了前所未有的导入窗口。出于供应链安全与成本控制的双重考量，目前，国内终端厂商正加速对长江存储的 NAND 芯片和长鑫存储的 DRAM 芯片的验证与采购。
资本市场对此反应迅速。长鑫存储已明确踏上 A 股科创板的 IPO 征程，证监会官网披露最新信息显示，长鑫科技集团股份有限公司已正式发布 IPO 辅导工作完成报告。其若成功上市，无疑将成为国产存储芯片领域有一大重要事件，募集的巨额资金将为其技术研发和产能扩张提供强大动力，并有望带动整个国产存储产业链价值重估。
然而，挑战同样严峻。在本轮周期的价值皇冠—— HBM，中国厂商与 SK 海力士、三星等国际巨头存在明显的技术代差。
目前，HBM 制造不仅依赖于先进的 DRAM 堆叠技术，更与台积电的 CoWoS 等先进封装工艺深度绑定。在地缘政治与技术封锁背景下，中国企业想要在短期内突破 HBM 产业链的全部环节，难度极大。
对应到 A 股投资环节中博证券，存储芯片领域的投资逻辑正从单一厂商扩展至全链条：中下游方面，内存主控与模组厂（如佰维存储、江波龙）对涨价与紧缺最为敏感；设计 / 制造端，A 股龙头兆易创新等的盈利能力有望随景气度修复。上游设备与材料的相关公司确定性更强，无论本土存储的最终份额如何，扩产与国产化率提升将直接转化为设备与材料需求。北方华创（002371.SZ）、中微公司 ( 688012.SH ) 等国产设备龙头有望受益于本轮替代浪潮。
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